武汉理工大学材料科学基础考研真题大纲.doc

武汉理工大学材料科学基础真题资料大纲QQ:、概念:晶体晶胞晶胞参数七大晶系晶面指数晶面族晶向指数晶向族2、()(记忆常识)1、最紧密堆积原理及其使用范围:原理略适用范围:典型的离子晶体和金属晶体原因:该原理是建立在质点在电子云分布呈球形对称以及无方向性的基础上的2、两种最紧密堆积方式:面心立方最紧密堆积ABCABC密排六方最紧密堆积ABABAB系统中:每个球周围有6个八面体空隙8个四面体空隙N个等径球体做最紧密堆积时系统有2N个四面体空隙N个八面体空隙八面体空隙体积大于四面体空隙3、空间利用率:晶胞中原子体积与晶胞体积的比值(要学会计算)﹪(等径球堆积时)4、影响晶体结构的因素内因:质点相对大小(决定性因素)配位数(概念及计算)极化(概念,极化对晶体结构产生的影响)外因(了解):(了解)(重点每年必考)分析结构从以下几个方面入手:晶胞分子数,何种离子做何种堆积,何种离子添隙,添隙百分比,正负离子配位数,正负离子电价是否饱和,配位多面体,添隙半径的计算(刚好相切时),隙结构与性质的关系。1、NaCl型:4个NaCl分子Cl离子做面心立方密堆积,Na离子填充八面体空隙,填充率100﹪,正负离子配位数均为6,电价饱和。【NaCl6】或【ClNa6】八面体结构与性能:此结构在三维方向上键力均匀,因此无明显解理,破碎后呈颗粒状,粒为多面体形状。离子键结合,因此有较高的熔点和硬度2、立方ZnS结构:4个ZnS分子S离子做面心立方密堆积,第三章晶体结构缺陷武汉理工大学材料科学基础真题资料大纲QQ:(概念):晶体点阵结构中周期性势场的畸变按照几何形态分类:点,线,面,体点缺陷包括:空位,间隙,杂质,色心线缺陷有:位错面缺陷有:晶界,表面按照缺陷产生原因分类:热缺陷(本征缺陷),杂质缺陷和非化学计量缺陷(非本征缺陷)热缺陷分为弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷()(弗伦克尔缺陷的特征是空位和间隙质点成对出现,肖特基缺陷特征是正负离子空位成对出现。)(本节略,重点为缺陷反应方程式的书写以及缺陷浓度的计算)符号,书写原则,98页下面的两个基本规律热缺陷浓度的计算:热力学方法,(概念)分类:根据位置分为置置换型固溶体,间隙型固溶体根据固溶度分为有限固溶体(不连续固溶体),无限固溶体(连续固溶体)形成置换固溶体的条件(4条)形成间隙型固溶体的条件为什么间隙固溶体不能是连续固溶体(149页最下面)会写方程式理论密度计算,(要仔细看课本,理解)四种类型不再赘述,关键是要导出方程式,得出空位浓度,电子浓度与氧压力和温度的关系,并说明其与密度,导电性的关系。:材料表面质点排列不同于材料内部,材料表面处于高能量状态