薄膜制备技术CVD.ppt

薄膜制备技术CVD1化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。简单来说就是:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到基片表面上。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种:在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒,在气体中生成粒子。化学气相沉积法的概念2为适应CVD技术的需要,选择原料、产物及反应类型等通常应满足以下几点基本要求:(1)反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质,且有很高的纯度;(2)通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物,而其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离;(3)反应易于控制。CVD技术的基本要求3CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质,因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点:(1)沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底的形状包覆一层薄膜。(2)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变,从而可获得梯度沉积物或得到混合镀层CVD技术的特点4(3)采用某种基底材料,沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离,这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。(4)在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质,或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上,这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末,甚至是纳米尺度的超细粉末。5CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)常压CVD(APCVD)亚常压CVD(SACVD)超高真空CVD(UHCVD)等离子体增强CVD(PECVD)高密度等离子体CVD(HDPCVD)快热CVD(RTCVD)金属有机物CVD(MOCVD),要制备特定性能材料首先要选定一个合理的沉积反应。用于CVD技术的通常有如下所述五种反应类型。(1)热分解反应热分解反应是最简单的沉积反应,利用热分解反应沉积材料一般在简单的单温区炉中进行,其过程通常是首先在真空或惰性气氛下将衬底加热到一定温度,然后导入反应CVD技术的原理7气态源物质使之发生热分解,最后在衬底上沉积出所需的固态材料。热分解发可应用于制备金属、半导体以及绝缘材料等。最常见的热分解反应有四种。(a)氢化物分解(b)金属有机化合物的热分解(c)氢化物和金属有机化合物体系的热分解(d)其他气态络合物及复合物的热分解8(2)氧化还原反应沉积一些元素的氢化物、有机烷基化合物常常是气态的或者是易于挥发的液体或固体,便于使用在CVD技术中。如果同时通入氧气,在反应器中发生氧化反应时就沉积出相应于该元素的氧化物薄膜。例如:9许多金属和半导体的卤化物是气体化合物或具有较高的蒸气压,很适合作为化学气相沉积的原料,要得到相应的该元素薄膜就常常需采用氢还原的方法。氢还原法是制取高纯度金属膜的好方法,工艺温度较低,操作简单,因此有很大的实用价值。例如:10