模拟电子技术基础知识.doc

常用半导体器件
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×)
(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×)
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)
(5)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√)
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通
(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏
(4)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A C 。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
(5)在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
(6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
(7)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100
三、,设二极管导通电压UD=。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。。

五、,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。

,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。

管号
UGS(th)/V
US/V
UG/V
UD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
恒流区
T2
-4
3
3
10
截止区
T3
-4
6
0
5
可变电阻区
基本放大电路
一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。
(1) 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。(√)
(2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,(√)它只能放大交流信号。(× )
(3)直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,(√)它只能放大直流信号。(×)
(4)只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。(×)
(5)互补输出级应采用共集或共漏接法。( √)
(6)在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大。( × )
(7)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。(√)
(8)当OCL电路的最大输出功率为1W时,功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( × )
二、现有基本放大电路:
。根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用 A ,第二级应采用 A 。
(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用 D ,第二级应采用 A 。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 B ,第二级应采用 A 。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用 D ,第二级应采用 B 。
(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且Au>1000,输出电阻Ro<100,第一级应采用 C ,第二级应采用 B 。
三、选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 A 。
,改变频率
,改变幅值

(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A 。




(3)当