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会计学
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Bipolar工艺流程
① 初始材料
标准双极集成电路采用轻掺杂的（111）晶向P型衬底制造。晶圆的切割通常偏离轴线一定的角度，这样可使N型埋层（NBL）阴影失真最小化， （111）晶向硅有助于抑制标准双极工艺固有的寄生PMOS管。
衬底的电阻率决定芯片的击穿电压。
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② N型埋层 （一次光刻）
第一步是在晶片上生长一层薄氧化层，使用NBL掩膜版在甩上光刻胶的氧化层上光刻。氧化刻蚀在硅表面刻出窗口后，用离子注入或热淀积法使N型杂质进入晶片。通常用含***（As）或锑（Sb）的杂质形成N型埋层，这是因为这些元素的扩散系数低，从而抑制了后续工艺中出现向上扩散的现象
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② N型埋层
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③ 外延生长
在生长轻掺杂N型外延层值前要先去除晶片上的氧化层。外延时，表面不连续性将沿着45°的角度向上传递。外延生长结束时，由于硅片晶向等原因，NBL阴影将横向平移长约外延层厚度的距离。
设计参数包括外延层厚度和外延层电阻率，对于模拟电路来说希望
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③ 外延生长
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④ 隔离扩散 （二次光刻）
在集成电路中，P型衬底接最负电位，以使隔离结处于反偏，达到各岛间电绝缘的目的。
隔离方法有：反偏PN结隔离、介质隔离、PN结-介质混合隔离等。各种隔离方法均有其优缺点。其中，PN结隔离工艺简单，是最常用的隔离方法。
再次氧化晶片，在表面涂光刻胶，使用隔离掩膜版刻出图形。淀积高浓度硼后，经高温推结使隔离扩散在外延层中部分向下移动 ，在硅衬底上形成孤立的外延层岛，实现各元件间的电绝缘。
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④ 隔离扩散
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⑤ 基区注入（三次光刻）
决定NPN管的基区及扩散电阻的图形
离子注入可精确控制基区掺杂，接下来退火修复注入损伤并确定基区结深，充分减小接触电阻。
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⑤ 基区注入
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