电力电子技术试题及答案.docx

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷5、下列电力半导体器件电路符号中,表示IGBT器件电路符号的是()题号——一二三四合计分数阅卷人得分一、选择(,共60分)1、 晶闸管内部有()个PN结2、晶闸管在电路中的门极正向偏压( )越好。A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的( )来表示的A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的,其外部有( )个电极。A、一个B、两个C、三个D、四个6、 比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTR D、GTO7、比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTR D、GTO8、 比较而言,下列半导体器件中性能最好的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTR D、GTO9、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的的是( )A、IGBTB、MOSFETC、GTR D、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是( )A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、 逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用( )A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管12、 电力场效应管MOSFET适于在( )条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频19、下列电力半导体器件电路符号中,表示GTR器件电路付号的是()GED)为最好13、要使绝缘栅双极型晶体管导通,应( )A、在栅极加正电压 B、在集电极加正电压 C、在栅极加负电压 D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率( )电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压为( )A、700VB、750V C、800VD、850V16、下列电力电子器件中,( )的驱动功率小,驱动电路简单A、普通晶闸管 B、可关断晶闸管 C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时( )A、一定导通 B、超过死区电压才导通C、、、 下列电力半导体器件电路符号中,表示GTO器件电路符号的是()20、下列电力半导体器件电路符号中,表示MOSFET器件电路符号的是()A21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的( )工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、 在晶闸管直流电动机调速系统中,改变( )就能改变直流电动机的转速。A、整流方式 B、晶闸管导通角C、电源电压 D、电源频率23、按逆变电路的( ),分为全控型逆变电路和半控型逆变电路。A、器件B、输出电能C、直流侧电源性质 D、电流波形24、 在一般可逆电路中,最小逆变角Bmin选在下面哪一种范围合理( )A、30°-35° B、10°-15° C、0°-10° D、0°25、在有源逆变电路中,逆变角B的移相范围应选(A、90°-180° B、35°-90° C、0°-90°26、 不属于换流方式的是( )A、器件换流 B、电网换流C、单相换流D、负载换流27、 通过附加的换流装置,给欲关断的器件强迫施加反向电压或反向电流的换流方式称为()A、器件换流B、电网换流C、单相换流D、强迫换流28、 串联谐振式逆变器属于( )A、电压型 B、电流型C、电阻性29、 并联谐振式逆变器属于( )A、电压型 B、电流型C、电阻性30、 通过变流器把直流电能变成某一频率或可调频率的交流电能直接供给负载,称为( )A、有源逆变B、无源逆变C、整流D、反馈31>并联谐振式逆变器的换流( )电流并联A、电感与电阻B、电感与负载 C、电容与电阻D电容与负载32、 ( )是依靠专门的换流回路使晶闸管在需要的时刻关断A、负载振荡式换流 B、强迫换流 C、可关断晶闸管换流 D大功率晶体管换流33、 双向晶闸管内部有( )个PN结34、 交流调压是把不变的交流电压变换成( )可调的交流电压A、最大值B、有效值C、瞬时值D、可调值35、 单相交流调压电路带电阻性负载时, 控制角口的移相范围为(A、0°-60°B、0°-90°C、0°-180°D、0°-270°36、 双向晶闸管的四种触发方式中( )触发灵敏度最高。A、f B>I C、HI+D、HI-37>晶闸管触发电路中,若改变( )的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的A、控制电压B、控制电流 C、同步电压D、脉冲变压器变比38、 晶闸管是一种既具有( ),又具有整流作用的大功率半导体器件A、稳压B、滤波C、开关作用 D、变压39、 交流调压电路是维持( )不变,只改变输出电压幅值的