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模拟电子技术高频第4章存储器.ppt


文档分类:通信/电子 | 页数:约59页 举报非法文档有奖
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模拟电子技术高频第4章存储器.ppt第四章存储器* 体系结构现代高档微机系统中,存储器技术的发展始终是以实现低成本、大容量和高速度为其追求目标,而用单一工艺制造的半导体存储器往往难以同时满足这三方面的要求。为解决这一矛盾、提高存储器系统的性能,目前高档微机系统普遍采用以下结构来组织整个存储器系统:分级存储器结构虚拟存储器结构*(Cache)内存储器外存储器容量增速度、位价格减高速缓存的引入,把慢速的内存当高速内存来使用。,把大容量的外存当大容量的内存来使用。**•ROM的类型•RAM的类型掩模ROMPROMEPROME2PROMFlashROMSRAM保持电源DRAM刷新IRAM自带刷新NVRAMRAM+ROM半导体存储器从功能和应用角度主要有两大类:*FlashROM的特点:兼具有EEPROM、SRAM和DRAM的优点:速度高、密度大;非易失;内含命令、状态寄存器,可在线编程;可整片/按扇区/按页面/按字节擦写;有数据保护、保密能力。FlashROM的应用:主板、显卡BIOS移动存储器MP3播放器数码相机、摄像机存储卡嵌入式、便携式系统电子盘*→高速缓存DRAM内存条4个层面*,实质上就是要了解它有哪些与CPU总线相关的信号线,以及这些信号线相互间的定时关系;在此基础上,进而弄清楚这些信号线与CPU的三大总线应如何连接。*,各类存储器芯片除电源线和地线外,一般都有以下四类外部引脚信号线:用于选择存储器存储单元用于向存储器芯片写入或从存储器芯片读出数据用于选择存储器芯片用于控制存储器芯片中数据的读出或写入存储器芯片的通用引脚A0A1AnD0D1Dm地址线OEWE数据线读允许片选写允许CSROM,PROMEPROM:只有OE;FLASH,EEPROM:输出允许OE,写允许WE;SRAM:输出允许OE,写允许WE;或仅有WE,0:写;1读。*:高低位AB如何划分根据译码方式的不同,可有三种常用片选控制方法:1、线选法2、全译码法3、局部译码法*

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  • 时间2020-09-30