第07章外存系统故障维修ppt课件.ppt

【重点】【重点】。优点:快速存储,永久存储,可利用现有的半导体工艺生产。缺点:读写速度较DRAM慢,而且擦写次数有极限。读写特性:闪存以区块为单位进行数据擦除和写入,区块大小为8KB~128KB。(异或)型闪存:由Intel和AMD公司主导,用于程序储存和运行。NOR闪存可随机读,但写操作按“块”进行。NOR闪存适合于频繁随机读操作,并直接在闪存内运行。如BIOS芯片,手机存储芯片,交换机、路由器中的存储器等。手机是NOR闪存应用的大户。(与非)型闪存:大部分专利权掌握在东芝、三星、SanDisk等公司。NAND闪存采用地址线和数据线复用技术。NAND闪存小数据块操作速度慢,而大数据块速度快。NAND闪存主要用来存储资料,如U盘、数码存储卡、固态硬盘等。,无需存储电容。闪存SLC(单级储存单元)结构:在1个存储单元存储1位数据。闪存MLC(多级储存单元)结构:在1个存储单元中存储2位数据。,在1个存储单元中记录2组位信息(00、01、11、10)。MLC的记录密度比SLC提高了1倍。但是,MLC电压变化频繁,使用寿命远低于SLC,MLC只能承受约1万次的擦写。MLC需要更长的读写时间,SLC比MLC要快3倍以上。,不同的是构成存储阵列时,采用了不同的技术方式。NAND闪存采用“与非”方式构成存储阵列;NOR闪存采用“异或”方式构成储存阵列。,浮空栅极中有电子时为“0”,无电子时为“1”。:NOR闪存有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取数据。NOR闪存写入数据前,必须先将目标块内所有位都写为0(擦除操作)。NOR闪存可以单字节写入,但不能单字节擦除。NOR闪存传输效率很高,适合存储程序代码,对大型数据文件应用显得力不从心。。如韩国现代HY27UK08BGFM闪存芯片:总容量为4GB,页面大小为(2KB+64B),8个I/O接口每次可以传输(2KB+64B)×8=。NAND闪存采用地址/数据总线复用技术,大容量闪存一般采用32位地址总线。煞昨计讣照雹亨赦漂攒蛰夹箍肿涣财航医钩徐嘱秦轩授莽憨办淆胀她鳞百第07章外存系统故障维修31993第7章外存系统故障维修