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一、BJT的结构简介:BJT常称晶体管,种类很多,但从外形看,BJT都有三个电极。根据结构不同,BJT可分成两种类型:NPN型和PNP型。结构上可分成:三个区域:基区、发射区、集电区。三个电极:从三个区各自接出的一根引线就是BJT的三个电极,它们分别叫做发射极e、基极bc。两个PN结:发射结、集电结。模拟电子技术基础1制造工艺:(1)发射区比基区、集电区掺杂浓度大。(2)集电结面积比发射区的大。(3)基区薄(几um——几十um),高频几um,低频几十um因此发射区、集电区并不是对称的。一、BJT的结构简介:PNP型三极管的结构模拟电子技术基础2二、BJT的电流分配与放大作用::使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是:       (正向偏置):Vbe>(反向偏置):Vbc<IC=ICN+ICBOICNIE=IEN+RCVBBRBIBIBN(1)发射区向基区注入电子:发射区的多数载流子扩散到基区,形成电流IEN基区空穴也扩散到发射区形成电流IEP总发射极电流IE=IEN+IEPIE≈IE=IEN+IC=ICN+ICBOICNIEPRCIBNIENIB三极管内部载流子的运动(2)集电区收集扩散过来的电子:集电结所加的是反向电压,可使电子很快地漂移过集电结为集电区所收集,。集电极电流IC=ICN+ICBO≈IE=IEN+IC=ICN+ICBOICNIEPRCIBNIENIB(3)电子在基区中的扩散与复合电子在扩散过程中又会与基区中的空穴复合形成电流IBN。基区和集电区的少子都要向对方漂移,形成一个反向饱和电流ICBO,受温度影响很大。IB=IEP+ICN2–ICBO=IEP+IBN–:IE=IEN+IEP≈IENIB=IBN+IEP-ICBO≈IBN-ICBO≈IBNIC=ICN+ICBO≈ICNIE=IC+IE=IEN+IC=ICN+ICBOICNIEPRCIBNIENIB模拟电子技术基础7各极电流之间关系式共基极连接时输出电流Ic受输入电流Ib控制的电流传输方程。式中,monBaseCurrent),1的能力。显然,其值恒小于1,但十分接近于1,,且在IE的大变化范围内几乎保持恒值。通常ICBO很小,对于硅管,其值为(10-9-10-16)A,一般可忽略,因而电流传输方程可简化为模拟电子技术基础8各极电流之间关系式9β和IcEo的物理含义实际上表示IB中受发射结电压控制的电流成分(IB+IcBo)1的控制能力,通常ICBO很小,可忽略,可表示IB对Ic的控制能力。10