ETCH名词解释.doc

专有名词解说—ETCH◆英文名词:ETCH◆中文名词:蚀刻定义:利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程说明:使用物理方法(离子撞击)或是化学方法(薄膜与气体或是液体反应),将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护,保留下来。使用例子:Polyetch、ch、Contactetch、Metaletch、Padetch。蚀刻制程示意图上光阻作为Mask光阻去除蚀刻步骤EtchEtchPRPRPRPRPRPR专有名词解说—ETCH◆英文名词:DryEtch◆中文名词:干蚀刻定义:利用气体作为与薄膜反应的物质,用物理或是物理加化学的反应去除材料说明:电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻,如CF4电浆系统可蚀刻SiO2。特性:流动气体层电浆层可以控制蚀刻时的方向性,得到平直的蚀刻剖面,—ETCH◆英文名词:WetEtch◆中文名词:湿蚀刻定义:利用在溶液中的化学反应,将材料移除的过程使用例子:使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸H3PO4溶液去除Si3N4薄膜、使用氢***酸HF蚀刻SiO2。特性:蚀刻为等向性蚀刻,侧壁不比直,为曲线状,多为Batch式。溶液溶液PRPRPRPRPRPR湿蚀刻制程示意图专有名词解说—ETCH◆英文名词:Plasma◆中文名词:电浆定义:将气体加上电压,形成一个部分离子化的气体系统,成分包含离子、电子、分子与原子团。说明:电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度大概是109~1011/cm3,而离子比中性粒子的比例是10-4~10-6。使用例子:气体输入口干蚀刻技术--电浆蚀刻、PECVD(PlasmaEnhancedCVD)电浆电极板电浆系统示意图抽气专有名词解说—ETCH◆英文名词:Isotropic/Anisotropic◆中文名词:等向性/非等向性定义:蚀刻等向性:表示每个方向的蚀刻速率都是一样的蚀刻非等性性:表示不同方向的蚀刻速率不同说明:一般干蚀刻技术可以得到非等向性的蚀刻结果,湿蚀刻技术大多是等向性的。非等向性蚀刻示意图等向性蚀刻示意图PRR4R3R2PRPRPRRPRPRPRR1R1R基材基材基材专有名词解说—ETCH◆英文名词:Selectivity◆中文名词:选择比定义:蚀刻的选择比,指同一个蚀刻方法对于不同薄膜蚀刻率的比值说明:被蚀刻薄膜/下层薄膜的选择比,会影响到蚀刻最后的结果,通常选择比愈大,蚀刻制程的控制能力愈好。选择比极小基材受损,光阻削角成为锥状选择比小,下层薄膜受损而且光阻出现削角选择比大控制良好PRPRPRPRPRPR被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜被蚀刻薄膜下层薄膜下层薄膜下层薄膜下层薄膜基材基材基材专有名词解说—ETCH◆英文名词:Profile◆中文名词:剖面轮廓定义:半导体制程中,Profile指组件的侧面剖面轮廓说明:线宽蚀刻制程主要就是控制剖面轮廓,成为理想中的图形。轮廓包含了蚀刻的宽度、深度、角度等。间距被蚀刻薄膜角度深度下层薄膜侧边轮廓线Profile专有名词解说—ETCH◆英文名词:CD(CriticalDimension)◆中文名词:微距定义:半导体制程中,重要层次的线宽、线洞的距离尺寸说明:用来仿真黄光与蚀刻制程优劣的重要参数,例如PolyCD、ContactCD等,通常以SEM(ScanningElectronMicroscope)量测ContactCDPolyCDPWellFieldOXFieldOXFieldOXFieldOXNWellROMCellSi基板组件侧面图专有名词解说—ETCH◆英文名词:AEI(AfterEtchingInspection)◆中文名词:蚀刻后检查定义:蚀刻站完成后,或是后续光阻去除后,以显微镜目检的工作站别说明:检查蚀刻制程是否造成缺陷(pits凹洞、蚀刻不足、光阻残留等),视情况处理产品,避免流入下一站。蚀刻后检查:—ETCH◆英文名词:AspectRatio◆中文名词:定义:孔洞的宽度除以孔洞的深度之比值,Width/Thickness说明:W2再黄光或是蚀刻的制程中,对于后段Metallization,需要形成细长的孔洞,利用AspectRatio来代表孔洞的宽/深比。宽深比愈小,表示制程的难度愈高。W1AspectRation1(A1)=W1/TAspectRation2(A2)=W2/TA1>A2T