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第一章-晶体生长和外延课件.ppt

文档分类：医学/心理学 | 页数：约95页举报非法文档有奖

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大规模集成电路制造工艺修课学生:11级微电子:51人11级电科:1人授课教师:张冬利E-mail:dongli_******@:电子信息楼207参考教材2成绩计算平时:5分;旷课(-1)、迟到、早退(-1);作业(10分);是否认真,是否正确,是否雷同(0分);期中考试:30分;考查对前半学期所学知识的理解和掌握;期末考试:45分;考查对本学期所学知识的综合理解掌握。课堂表现(10分);回答问题(),课上表现;3单晶材料制备《大规模集成电路制造工艺》4半导体的形态类型非晶:原子随机性排列,没有任何周期性;多晶:原子排列在小范围内具有周期性;单晶:在整个固体内原子排列具有完美的周期性;单晶多晶非晶5硅和***化镓金刚石结构(Si)闪锌矿结构(GaAs)6晶体生长和外延单晶生长:获得高质量的衬底材料;外延生长:在单晶衬底上生长另一层单晶半导体;起始材料多晶半导体单晶晶片SiGaAs蒸馏与还原合成晶体生长晶体生长研磨、切割抛光研磨、切割抛光从原料到磨光晶片的制造流程SiO2Ga,As7单晶硅的制备起始材料:高纯度的硅砂:可得到纯度为98%的冶金级的硅三***硅烷室温下为液态,可以利用蒸馏法去除杂质可得到电子级的多晶硅(所含杂质浓度约为十亿分之一)8柴可拉斯基法(CzochralskiTechnique)(直拉法)硅的熔点:;10

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