白底11第11章双极型晶体管课件.ppt

第十一章双极型晶体管原理11-1,双极晶体管直流特性一,晶体管概述二,直流特性和电流增益三,反向电流四,击穿电压五,基极电阻11-2,双极晶体管频率、功率特性11-3,双极晶体管噪声、开关特性前言,*第八章双极型晶体管原理参考书:双极型与MOS半导体器件原理黄均鼎汤庭鳌编著 复旦大学出版社晶体管原理半导体器件电子学(英文版)美国,,电子工业出版社前言,*11-1,双极晶体管直流特性一,晶体管概述二,直流特性和电流增益三,反向电流四,击穿电压五,基极电阻前言*11-1,一,晶体管概述:1基本结构1基本结构2放大作用3晶体管内载流子的传输及电流放大系数4晶体管的输入和输出特性前言*11-1,2放大作用晶体管具有放大作用是由于:(1)基区宽度很小,即从发射区注入到基区的载流子绝大部分可到达集电区;(2)发射结正偏,不仅使结电阻很小,而且基区中存在着大量由发射区注入的少数载流子;(3)集电结反偏,结电阻很大。前言*11-1,**直流共基极电流放大系数直流共基极电流放大系数的定义为按照图3-4所示的输运过程,α由以下三个因子组成:式中γ称为发射效率,也称注射比,它表示注入到基区的电子电流与发射极总电流之比,β*称为基区输运系数,α*称为集电区倍增因子前言**共发射极电流放大系数共发射极电流放大系数定义为集电极电流IC与基极电流IB之比:为导出β与α的关系,把IB=IE-IC代入上式,可得前言*11-1,4晶体管的输入和输出特性Ⅰ为线性工作区,发射结处于正偏,集电结处于反偏;Ⅱ为饱和区,发射结和集电结均处于正偏;Ⅲ为截止区,发射结和集电结都为反偏。前言*11-1,二,晶体管的直流特性和电流增益以均匀基区为例1,均匀基区晶体管直流特性的理论分析2,均匀基区晶体管的短路电流放大系数前言*