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材料成型考研复试必备.doc


文档分类:研究生考试 | 页数:约17页 举报非法文档有奖
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材料成型考研复试必备.doc《材料成形原理》复****题(铸)第二章液态金属的结构和性质粘度。影响粘度大小的因素?粘度对材料成形过程的影响?1) 粘度:是液体在层流情况下,各液层间的摩擦阻力。其实质是原子间的结合力。2) 粘度大小山液态金属结构决定与温度、压力、杂质有关:(1)粘度与原子高位激活能U成正比,与相邻原子平衡位置的平均距离的三次方成反比o(2)温度:温度不高时,粘度与温度成反比:当温度很高时,粘度与温度成正比。⑶化学成分:杂质的数量、形状和分布影响粘度;合金元素不同,粘度也不同,接近共晶成分,粘度降低。⑷材料成形过程中的液态金属一般要进行各种冶金处理,如孕育、变质、净化处理等对粘度有显著影响。3) 粘度对材料成形过程的影响(1)对液态金属净化(气体、杂质排出)的影响。(2)对液态合金流动阻力与充型的影响,粘度大,流动阻力也大o(3)利凝固过程中液态合金对流的影响,粘度越大,对流强度G越小。表面张力。影响表面张力的因索?表面张力对材料成形过程及部件质量的影响?1) 表面张力:是金属液表面质点因受周围质点对其作用力不平衡,在表面液膜单位K度上所受的紧绷力或单位表面积上的能量。其实质是质点间的作用力。2) 影响表面张力的因素(1)熔点:熔沸点高,表面张力往往越大。(2)温度:温度上升,表面张力下降,如Al、Mg、Zn等,但Cu、Fe相反。(3)溶质元素(杂质):正吸附的表面活性物质表面张力下降(金属液表面);负吸附的表面非活性物质表面张力上升(金属液内部)。(4)流体性质:不同的流体,表面张力不同。3) 表面张力影响液态成形整个过程,晶体成核及长大、机械粘砂、缩松、热裂、央杂及气泡等铸造缺陷都与表面张力关系密切。液态金属的流动性。影响液态金属的流动性的因素?液态金属的流动性对铸件质量的影响?1) 液态金属的流动性是指液态金属本身的流动能力02) 影响液态金属的流动性的因素有:液态金属的成分、温度、杂质含量及物理性质有关,与外界因素无关。3) 好的流动性利于缺陷的防1L:(1)补缩⑵防裂⑶充型⑷气体与杂质易上浮。液态金属的充型能力。影响液态金属的充型能力的因素?1) 液态金属的充型能力是指液态金属充满铸型型腔,获得形状完整,轮廓清晰铸件的能力。2) 影响液态金属的充型能力的因素有:(1)内因是金属自身流动性;(2)外因有型的性质、浇注条件、型腔结构形状[(1)金属性质:1)合金成分2)结晶潜热3)比热、密度、导热系数4) 粘度5)表面张力:(2)铸型性质方面因素:1)型的蓄热系数大2)型的温度3)型中气体;(3)浇注条件方面因素:1)浇注温度2)充型压头3)浇注系统结构;(4)铸件结构方面因素:1)折算厚度2)复杂程度]5-液态金属的充型能力与流动性的区别和联系?1) 液态金属的充型能力首先取决于液态金属本身的流动能力,同时又和外界条件密切相关。2) 液态金属自身的流动能力称为“流动性”,山液态金属的成分、温度、杂质含量等决定的,而与外界因素无关,流动性可认为是特定条件下的充型能力。3) 液态金属流动性好,其充型能力强,反之其充型能力差,但这可以通过外界条件来提高充型能力。第三章液态金属凝固热力学和动力学什么是溶质再分配?溶质分配系数表达式?1) 溶质再分配:合金析出的固相中溶质含量不同于其周围液相内溶质含量的现象,产生成分梯度,) 溶质分配系数k:凝固过程中固液界血固相侧溶质质量分数ni、与液相中溶质质量分数皿之比,即k-n^/mio均质形核与非均质形核(异质形核)o1) 均质形核:依靠液态金属内部自身的结构自发的形核。2) 非均质形核:依靠外来夹杂或型壁所提供的异质界面进行形核过程。3・界面共格对应关系及其判别?1) 固体质点的某一晶血和晶核的原子排列规律相似,原子间距离相近或在一定的范围内成比例,就可能实现界面共格对应,该固体质点就可能成为形核的衬底。这种对应关系叫共格对应关系。2) 共格对应关系用点阵失配度6衡呈:即Ci.(1)6W5%为完全共格,形核能力强;(2)5%<&W25%为部分共格,央杂物衬底有一定的形核能力:(3)8>25%为不共格,央杂物衬底无形核能力。点阵失配度点阵失配度6即8=W一"」x100%其中株、出分别为央杂物、晶核原子间距肉。用来衡最界面共格对应关系。晶体的宏观长大方式?1) 平面方式长大条件:(1)固液界面前方液体的正温度梯度分布G>0,液相温度高于界面温度「:(2)固液前方液体过冷区域及过冷度极小;(3)晶体生长时凝固潜热的析出方向同晶体生长方向相反。生长过程:生长时,一旦某一晶体生长伸入液相区就会被重新熔化,从而导致晶体以平面方式生长。2) 树枝晶方式K大条件:(1)固液界面前方负温度梯度分布G«,液相温度低于凝固温度T.;(2)固液界面前液体过冷区域较大,距界面越远的液体其过冷度越大:(3)晶体生长

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  • 时间2020-07-10