纠缠基础上量子光刻和量子态制备.pdf

摘要现代工业的发展使得人们需要越来越小的集成电路块,因而就要提高印刷术,来获得更小的像素,更大的分辨力。光刻殖乒庋е瓢技术就是适子态的制备进行了初步的探讨,,,,,并对量第一章简要介绍了经典光刻和量子光刻的基本理论以及最近关于量子光刻的主要成果,为以下几章的研究工作奠定理论基础。并指出:一般的量子光刻法可以获得Ⅳ倍于经典光刻方法的分辨力。第二章介绍了我们提出的光刻方法,即:还庾臃亲畲缶啦态牧孔庸饪谭椒ǎ腥缦录父龃葱碌悖炎畲缶啦墓饪谭椒ㄍ乒到非最大纠缠态;岢隽肆饺肷涔饬孔犹木钟蚓啦头蔷钟蚓啦母念;⑾衷黾恿饺肷涔獾姆蔷钟蚓啦瓤梢栽黾悠毓夂姆龋蚨变两入射光的非局域纠缠度可以操纵和控制曝光率的振幅;⑾至饺肷光的局域纠缠能提高量子光刻的有效瑞利分辨力到>,,发现增加相干态的幅度或感光胶质的多光子吸×,三,四章是本工作的创新之处。第五章我们对本文的工作进行了简要的总结,并对这一研究领域的发展
:分辨力,曝光率,Ⅳ庾臃亲畲缶啦>啦喔商壅操作,控制非Ⅳ门
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第一章绪论§引言光刻殖乒庋е瓢是一个被广泛运用的印刷方法。在这个方法中,,,最小像素的大小是由曝光图案的周期决定的。根据瑞利判据,最小像素的大小对应于光强的最小值和相邻的最大值之间的距离【俊6庋Х直媪υ蛴霉饪谭椒苡∷⒌【】,在参考文献【恐校珹制版”的方法,,在参考文可以写的像素的最大数目和像素的最小特征大小的平方成反比,因而这个改进对制版印刷术以及半导体工业都有很大意义。年,在参考文献】中,”靡桓龀莆!澳娑钍教钡牡ヌ婢啦泄饪桃不竦我们的主要工作是利用庾臃亲畲缶啦狗直媪μ岣叩骄浞椒ǖ舯叮⒅赋隽擞盟>,在感光胶质上不同点,两入射光相干后的强度不同,使得感光胶质上不同的点的曝光程度不同,人们中,人们在电板上铺一层感光胶质,用光照射使其感光来获得所需的电路,的点的最小距离来标记飧鲎钚【嗬朐叫。直媪υ酱螅堑刃У爻晌光学制版图案最重要的特性。当像素的特征大小越小分辨力越大时,生产出在经典光刻中,我们只能获得和光的波长相比拟的分辨力。最近,“量子献校琍盞引入了—个量子制版的方法,它使用了一光子最大纠缠态,可以把分辨力提高到经典制版方法的Ⅳ倍。因为在一个给定面积的区域上姆直媪Α要的作用。因而在我们的工作中,也对态的制备问题作了一些探讨,并得出了和
§经典光刻方法这里,我们利用了闻ㄊ齥通过瑀/,我们获得如下的表达式:,即:经典光刻方法,还庾幼畲缶啦的光刻方法,Ⅳ一光子非最大纠缠态的光刻方法,及双模纠缠相干态的光刻方法。并比较了运用于一维制版图案的第二和第三种方法。经典的光刻瓢方法就是用经典态的光作为光源,;;表征的两平面波入射到感光胶质表面,它们与平面的法矢所成的夹角为口缤表示蚱矫娌ㄊ噶靠梢匀缦卤硎荆尹处的相干后的强度求出:后瑂磊籹工鵌矿。‘蕊一磊图,毫郊砉鈇在感光胶质上相遇,它们的夹角为,它们有一个相对位相≠.我们考虑日一虻募耷榭觥.
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