cmos工艺下微压力传感器研究.pptx

研究目的和意义
01
研究内容
总结与展望
02
03
目录
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一、研究目的和意义
硅压力传感器是具有体积小、重量轻、精度高等优点。其制作工艺与集成电路工艺兼容,是各类传感器中最具性价比的传感器,在工业实践中已经得到了广泛应用。
CMOS工艺是集成电路的主流制造工艺,主要特点是加工工艺流程固定,有利于量产化。而MEMS工艺能加工更多的传感器结构,两者结合可以满足传感器的量产化和多样性的需求。虽然两种工艺还不能完全兼容,但未来发展市场相当可观。
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二、研究内容
1、传感器工作原理
2、电路设计
3、压力特性仿真
4、电路特性仿真
5、版图设计
6、后续加工
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二、研究内容
1、传感器工作原理
传感器结构示意图
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二、研究内容
2、电路的设计
传感器电路原理图
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3、压力特性的仿真(SOL)
二、研究内容
约束条件:
P型单晶硅等效硅衬底
边界固定约束等效未减薄区域对形变区域的约束
1Mpa边界载荷代替外界压力
芯片的形变量
(1)形变量的观察
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二、研究内容
0Mpa压力下电压的分布
1Mpa压力下电压的分布
给电阻一端固定的电流(1mA),并将其接地,观察不同压力下最大电压的变化
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①将电导率固定
二、研究内容
压力仿真失败分析
②各项异性
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解决方法:根据压阻效应公式推导
二、研究内容
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二、研究内容
压阻系数: πl,πt
对于任意方向:
πl=π11-2(π11-π12­-π44)(l12m12+ m12n12+ l12n12)
πt=π12-2(π11-π12­-π44)(l12l22+ m12m22+ n12n22)
πl=πt≈*10-11Pa-1
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