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门电路补充内容ppt课件.ppt

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门电路补充内容
孙卫强
******@sjtu.
CMOS反相器
Rp:PMOS管的电阻,Rn:NMOS管的电阻
电阻性负载CMOS反相器的电阻模型
电阻性负载的
戴维宁等效电路
Rp:PMOS管的电阻,Rn:NMOS管的电阻

电阻性负载CMOS器件的电阻模型(输出为低电平)
VOUT = x[100/(100+667)]
=
电阻性负载的
戴维宁等效电路
电阻性负载CMOS器件的电阻模型(输出为高电平)
VOUT = (5V-) * [667/(200+667)] +
=
电阻性负载的
戴维宁等效电路
非理想输入时电路的负载特性
浪费的功率等于多少?
电阻性负载的
戴文宁等效电路
CMOS电路的动态电气特性
现代电路设计正朝着纯CMOS技术的方向演进,而CMOS器件具有很高的输入阻抗,因此直流负载效应常常可以忽略不计
CMOS输入端、封装和内部连线具有相当大的电容
电容充放电时间是构成电路/器件时延的主要因素之一
CMOS转换时间分析
影响转换时间的因素
晶体管的导通电阻
驱动的输入端的电容
寄生电容的来源
输出电路,2-10pF
输出和其它输入的连线电容,1pF/英寸或更多
输入电路,2-15pF
转换时间分析的
等效电路

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