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该【《LED芯片制作流程》 】是由【相惜】上传分享，文档一共【40】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【《LED芯片制作流程》 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。=Multi-quantumwell,多量子阱整理课件LED制造过程衬底材料生长LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石整理课件LED制程工艺步骤内容前段外延片衬底及外延层生长中段蒸镀、光刻、研磨、切割过程后段将做好的LED芯片进行封装LED三个过程:材料生长、芯片制备、器件封装。:在使用LPE(液相磊晶)生长红光LED时,一般使用AlGaAs外延层,而使用MOCVD生长红黄光LED时,一般生长AlInGaP外延结构。优点晶格匹配,容易生长出较好的材料缺乏吸收光子整理课件蓝宝石Al2O3衬底优点化学稳定性好不吸收可见光价格适中制造技术相对成熟缺乏导电性能差坚硬,不易切割导热性差整理课件SiC衬底优点化学稳定性好导电性能好导热性能好不吸收可见光缺乏价格高晶体品质难以到达Al2O3和Si那么好机械加工性能比较差吸收380nm以下的紫外光,不适合用来研发380nm以下紫外LED目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。整理课件
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