下载此文档

《化学气相淀积》 (2).ppt


文档分类:高等教育 | 页数:约46页 举报非法文档有奖
1/46
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/46 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【《化学气相淀积》 (2) 】是由【相惜】上传分享,文档一共【46】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【《化学气相淀积》 (2) 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。第六章化学气相淀积主讲:毛维******@126西安电子科技大学微电子学院编辑课件概述化学气相淀积:CVD——ChemicalVapourDeposition。定义:一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反响,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。例如:热分解SiH4,SiH4=Si〔多晶)+2H2(g),SiH4+O2=SiO2〔薄膜〕+2H2CVD薄膜:SiO2、Si3N4、PSG、BSG〔绝缘介质〕、多晶硅、金属〔互连线/接触孔/电极〕、单晶硅〔外延〕CVD系统:常压CVD〔APCVD〕低压CVD〔LPCVD〕等离子CVD〔PECVD〕编辑课件概述CVD工艺的特点1、CVD工艺的温度低,可减轻硅片的热形变,抑制缺陷的生成,减轻杂质的再分布,适于制造浅结器件及VLSI;2、薄膜的成分精确可控、配比范围大,重复性好;3、淀积速率一般高于物理淀积,厚度范围大;4、膜的结构完整致密,与衬底粘附好,台阶覆盖性好。①传输:反响剂从气相(平流主气流区)经附面层〔边界层〕扩散到〔Si〕外表;②吸附:反响剂吸附在外表;③化学反响:在外表进行化学反响,生成薄膜分子及副产物;④淀积:薄膜分子在外表淀积成薄膜;⑤脱吸:副产物脱离吸附;⑥逸出:脱吸的副产物和未反响的反响剂从外表扩散到气相(主气流区),逸出反响室。) 副产物去除1) 反应物的质量传输副产物2) 薄膜先驱物反应3)气体分子扩散4) 先驱物的吸附5) 先驱物扩散到衬底中6) 表面反应7):平均自由程远小于反响室尺寸,具有黏滞性;平流层:主气流层,流速Um均一;边界层〔附面层、滞留层〕:流速受到扰动的气流层;泊松流〔PoisseulleFlow〕:沿主气流方向〔平行Si外表〕没有速度梯度,沿垂直Si外表存在速度梯度的流体;〔x〕():δ〔x〕=〔μx/ρU)1/2μ-气体黏滞系数,x-距基座边界的距离,ρ-气体密度,U-边界层流速;平均厚度Re=ρUL/μ,称为雷诺数(无量纲),表示流体惯性力与黏滞力之比雷诺数取值:<2000,平流型;商业CVD:50-100;>2000,湍流型〔要尽量防止〕。①假定边界层中反响剂的浓度梯度为线性近似,那么流密度为:F1=hg(Cg-Cs)hG-气相质量转移系数,Cg-主气流中反响剂浓度,CS-衬底外表处反响剂浓度;②外表的化学反响淀积薄膜的速率正比于Cs,那么流密度为:F2=ksCs③平衡状态下,F1=F2(=F),那么Cs=Cg/(1+ks/hg)=Cg/(1+ks/hg)④两种极限:>>ks时,Cs→Cg,反响控制;<<ks时,Cs→0,扩散控制;编辑课件

《化学气相淀积》 (2) 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数46
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人相惜
  • 文件大小5.11 MB
  • 时间2024-04-22