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SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告.docx
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通信/电子
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SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告.docx
该【SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。SiCMOS器件和电路温度特性的研究的中期报告本次研究旨在探究SiCMOS器件和电路的温度特性。在中期研究报告中,我们展示了以下内容的初步结果。一、SiCMOS器件的温度特性研究:。我们将SiCMOS管器件放置在温度控制室中,通过控制温度控制室的温度,来测试不同温度下SiCMOS器件的漏电流、开关特性等。,SiCMOS管器件的漏电流和开关特性都发生了变化,且变化趋势相反。随着温度的升高,漏电流逐渐增大,而开关特性则逐渐变差。二、SiCMOS电路温度特性研究:,通过控制电路原边电压大小和PWM信号占空比,来测试不同温度下电路的效率和波形。,电路的效率和波形都发生了变化。随着温度的升高,电路的效率会逐渐降低,而电路的波形也会发生偏移。综上所述,SiCMOS器件和电路都具有明显的温度特性。随着温度的变化,它们的性能也会有显著的变化。因此,在实际应用中需要考虑温度对器件和电路的影响,以优化电路的设计和使用。
SiC MOS器件和电路温度特性的研究的中期报告 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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2024-03-27
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