PZT及LNO的溅射制备及其低温晶化研究的中期报告.docx

该【PZT及LNO的溅射制备及其低温晶化研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【PZT及LNO的溅射制备及其低温晶化研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。PZT及LNO的溅射制备及其低温晶化研究的中期报告这是一份关于PZT和LNO溅射制备及其低温晶化研究的中期报告。以下是报告的具体内容:背景介绍:铁电薄膜在微电子学和传感器技术中具有广泛的应用。其中,铅锆钛酸钡(PZT)是一种常用的铁电材料。然而,PZT具有高热处理温度要求,这在一些应用中是不现实的。为了克服这个问题,低温晶化(LTC)技术可以用来制备具有高结晶质量的铁电薄膜。此外,锶钛酸钇(LNO)也是一种常用的电极材料。因此,研究PZT/LNO组合的制备和低温晶化技术具有很高的实际意义。实验设计:我们首先使用射频磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了PZT/LNO/Si结构的薄膜。我们使用了不同的溅射参数来改变薄膜的组成和结构。然后我们将样品分别在625摄氏度和650摄氏度下退火2个小时,以研究低温晶化对薄膜结构和性能的影响。实验结果:通过SEM和XRD测量,我们发现LNO薄膜呈现出明显的择优取向,而PZT薄膜的结晶质量较差。在625摄氏度下退火后,PZT薄膜的晶体结构得到了改善,并且呈现出更好的取向性。但是,在650摄氏度下,PZT的颗粒尺寸增大,晶体结构略有松动。我们进一步研究了薄膜的铁电性能。使用电压加载系统,在退火后测量了PZT薄膜的铁电回线。结果表明,相比于未退火的样品,退火后的样品具有更高的铁电响应。结论:通过这项研究,我们成功制备了PZT/LNO/Si结构的铁电薄膜,并探索了低温晶化对其结构和铁电性能的影响。退火温度是影响薄膜质量的关键因素,适当的低温晶化可以得到具有更好性能的铁电薄膜。这些结果有助于进一步优化薄膜制备过程以及相关应用的开发。