GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告.docx

该【GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告中期报告:GaN基NiAu肖特基接触特性研究一、课题背景氮化镓(GaN)作为具有极大应用潜力的宽禁带半导体材料之一,广泛应用于LED、LD、功率器件和微波器件等领域。而肖特基接触则是GaN电子器件中常见的电极形式。NiAu双金属肖特基接触由于具有优异的电学性能,在GaN器件中得到广泛应用。因此,研究GaN基NiAu肖特基接触的特性对于探究GaN电子器件的性能和稳定性具有重要意义。二、课题研究进展本研究采用了制备NiAu双金属薄膜的热蒸发技术,在氮化镓上制备出NiAu肖特基接触器件。并通过各种电学测试手段对器件性能进行了测试。在接触电阻测试方面,我们采用了四探针测试法,×10^-4Ω·cm^2。其值已经达到了同类肖特基接触的优异水平。在温度依赖性测试方面,我们在常温至400K的范围内,采用了I-V测量法,得到了NiAu肖特基接触在不同温度下的电性能数据,并进一步得到了器件的激活能。结果表明,。在稳定性测试方面,我们利用PCT(PressureCookerTest)测试方法,对器件进行了长时间高温湿热(85℃,85%RH)环境下的测试,测试结果表明,NiAu肖特基接触器件的性能在长时间高温高湿环境下表现出稳定性。三、下一步研究计划本研究将进一步优化NiAu肖特基接触器件的性能,并研究所得到的接触器件在GaN电子器件中的应用。同时,我们还将探究其他金属肖特基接触的性能,并与NiAu肖特基接触进行比较,以期寻求更加理想的接触选择。