C波段GaN基PA MMIC的研制的中期报告.docx

该【C波段GaN基PA MMIC的研制的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【C波段GaN基PA MMIC的研制的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。C波段GaN基PAMMIC的研制的中期报告本次中期报告是针对C波段(4-8GHz)GaN基功率放大器(PA)MMIC研制项目的进展情况进行汇报。、高频率、高温度稳定性等优势,被广泛应用于射频功率放大器领域。而C波段频段在雷达、通信等领域有着重要的应用,因此研发C波段GaN基PAMMIC具有重要意义。,器件特性测试表明其具有良好的高频性能和功率饱和特性。研究团队设计了一款C波段单端结构的GaNHEMTPA,采用ClassAB工作方式,使用微带线耦合和负载匹配网络实现了50Ω匹配。经过优化设计和模拟仿真,该PA在4-8GHz频带内的增益高达15dB,具有26dBm的输出功率和50%的直流-射频(DC-RF)转换效率。为了方便制造,研究团队将该PA布局设计成完全的金属化结构,避免了器件的漏电和保护层的损坏。、特性测试和前置放大器的设计,目前已完成了C波段GaN基PAMMIC的芯片制作和测试。制作的芯片尺寸为2mm×,工艺为金属组合封装。在测试台上,该PA达到了预期的性能指标,增益达到了14dB,输出功率为27dBm,DC-RF转换效率高达40%。但在频率范围内的参数分布和稳定度方面存在一些问题,将需要进一步优化设计和调整工艺。,研究团队将继续优化设计和改进工艺,以提高C波段GaN基PAMMIC的性能和稳定性。同时,研究团队也会探索更多与应用相关的研究方向,为实际应用提供更好的解决方案。