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复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V.ppt
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高等教育
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复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V.ppt
该【复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V 】是由【相惜】上传分享,文档一共【17】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。第六章MOS电容硅外表的悬挂键外表束缚电子态界面态理想MOS电容理想MOS电容中外表电荷和外表势的关系外表电荷主要来源的转化小信号理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容中有许多其他电荷小信号实际MOS电容的C-V特性从实际MOS电容的C--金属/氧化层/半导体结构的电容~。在外表,硅原子的排列中断,外表的原子就有一局部未成键的电子。这种未成键的电子的面密度约1015/cm2。这些未成键的电子和体内成键的电子所处的状态不同,是局域束缚电子。.外表束缚电子态理论计算给出硅外表存在准连续的电子态;在禁带中的局域能级呈现V型分布〔和实验结果得到的分布U型分布大体相同〕;和价带重叠的局部是施主态,其余能级是受主态。.界面态从半导体器件的角度讲,大量存在的是界面:金属-半导体〔肖特基结或欧姆结〕单晶同质PN结半导体-半导体孪晶界面异质结介质-半导体〔二氧化硅-硅〕〔硅单晶的外表暴露在空气中常温下就会生长自然氧化层。〕界面由于两边晶格结构不同所以就有界面态,界面态密度和失配情况有关。.理想MOS电容氧化层绝对绝缘;氧化层中没有电荷;氧化层和硅的界面没有界面态;金属和硅没有功函数差。.、强反型电压平带电压:由于金属和硅单晶之间有功函数差,二氧化硅中和二氧化硅-硅界面有空间电荷,所以必须在金属和硅衬底之间加一定的电压抵消这些电荷的作用才能保持半导体外表能带水平,这个电压称为平带电压。功函数差外表固定电荷,氧化层中电荷?(x)强反型电压:-V特性取决于:测试信号和偏置电压的选择:低频、稳态;高频、稳态;高频、瞬态。.
复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.
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